|
|
СтатьиСпособы получения "сэндвичевых" слоев (C30B25/22)04.09.2018 C30B Выращивание монокристаллов (с использованием сверхвысокого давления, например для образования алмазов B01J3/06 ); направленная кристаллизация эвтектик или направленное расслаивание эвтектоидов; очистка материалов зонной плавкой (зонная очистка металлов или сплавов C22B ); получение гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой (литье металлов, литье других веществ теми же способами или с использованием тех же устройств B22D ; обработка пластмасс B29 ; изменение физической структуры металлов или сплавов C21D ,C22F ); монокристаллы или гомогенный поликристаллический материал с определенной структурой; последующая обработка монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой (для изготовления полупроводниковых приборов или их частей H01L); (2110)C30B25/22 Способы получения "сэндвичевых" слоев (3)
Изобретение относится к микрокристаллическому алмазному покрытию, предназначенному для трибологических областей применения в сфере микромеханики, а также в оптике.
Изобретение относится к технологии выращивания эпитаксиальных слоев полупроводниковых кристаллов нитридов третьей группы на слоистой кристаллической структуре с оптически ослабленной границей.
Изобретение относится к области технологии получения твердых кристаллических материалов методом газофазной эпитаксии.
Изобретение относится к области материаловедения и может быть использовано в технологии изготовления металлических, полупроводниковых и диэлектрических материалов и приборов, в частности для нанесения многослойных нанокристаллических тонких пленок этих материалов химическим способом.
Новости |
|
Редактор - Малышкова М.И. - webдизайн - Толмачев М.В. -Copyright©2000
|
